公司近年來不斷地引進(jìn)國(guó)內(nèi)外先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備及制造工藝，研發(fā)新技術(shù)，增強(qiáng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，改良產(chǎn)品設(shè)計(jì)，力求創(chuàng)造質(zhì)量一流的產(chǎn)品。公司主導(dǎo)產(chǎn)品服務(wù)于半導(dǎo)體及光伏行業(yè)檢測(cè).節(jié)能檢測(cè).霧氣檢測(cè)等行業(yè)的工藝與設(shè)計(jì)；公司以“卓越的品質(zhì)，真摯的服務(wù)、低廉的價(jià)格”為宗旨，為國(guó)內(nèi)廣大用戶提供了周到的售前咨詢和售后服務(wù)，并與國(guó)內(nèi)外多家儀器儀表制造廠商和國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)建立了密切長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系。

卓耐科技?xì)g迎各位客戶前來光臨做客，我們將以最真誠(chéng)的服務(wù)來回報(bào)廣大客戶對(duì)我們工作的支持。我們會(huì)不斷推出質(zhì)量可靠，性能卓越的產(chǎn)品，堅(jiān)持以質(zhì)量效益為發(fā)展道路，以讓顧客滿意為永恒主題。也同時(shí)希望社會(huì)給予我們更多的關(guān)注。

 www.ace-gem.com卓耐科技推出的ZNC-1C是一款功能強(qiáng)大的少子壽命測(cè)試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。少子測(cè)試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測(cè)試過程全程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況.

使用范圍

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

產(chǎn)品特點(diǎn)
u        測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅       片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。
u        主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
u        適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ＞0.1Ω?cm（可擴(kuò)展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導(dǎo)無法檢測(cè)低阻單晶硅的問題。
u        全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過程，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
u        貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。 
u        專業(yè)定制樣品架zui大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
u        性價(jià)比高，價(jià)格遠(yuǎn)低于國(guó)外國(guó)外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本。

技術(shù)參數(shù)
測(cè)量范圍       硅晶體電阻率：0.005-50000Ω•cm
鍺單晶：       0.1-100Ω•cm
可測(cè)材料       硅半導(dǎo)體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等，鍺半導(dǎo)體材料
少子壽命       1μs-6000μs
可測(cè)硅料電阻率   ≥0.1Ω.cm
激光波長(zhǎng)       1.07μm
貫穿深度       500μm
供電電源       ～220V 50Hz 功耗＜50W
推薦使用環(huán)境   溫度：23±2℃   相對(duì)溫度：≤65%