高溫反偏測試系統(tǒng)設(shè)備1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)（試驗時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制，共兩組分別控制?？墒┘硬煌碾妷涸?

西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年，公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，本公司是一家集科研開發(fā)，生產(chǎn)經(jīng)營，技術(shù)服務(wù)為一體具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)。公司技術(shù)工藝，檢測手段完善，擁有一批長期從事電力電子技術(shù)，自動控制系統(tǒng)與應(yīng)用，感應(yīng)加熱技術(shù)，微電子技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)等研究開發(fā)的高級工程師和技術(shù)人才，實力雄厚，多項產(chǎn)品在行業(yè)中處于地位。已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)，電力，鐵路交通，新能源汽車，石油，化工，環(huán)保電子等行業(yè)，公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品有功率半導(dǎo)體器件及組件的檢測設(shè)備及工藝設(shè)備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程，程序控制。新能源開發(fā)及應(yīng)用等新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，公司具有較強(qiáng)的技術(shù)開發(fā)能力，可根據(jù)用戶和市場的需求，提供技術(shù)方案，技術(shù)咨詢，專業(yè)培訓(xùn)與服務(wù)，奉行技術(shù)創(chuàng)新，誠信服務(wù)愿與國內(nèi)外同行及用戶真誠合作共同進(jìn)入高科技的新時代。

通過我們自己研發(fā)的各種產(chǎn)品，比如像半導(dǎo)體器件測試儀，加快了半導(dǎo)體各類材料、半導(dǎo)體器件和工藝的開發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；諸如IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求，是檢測半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備；還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數(shù)測試儀、二極管電參數(shù)測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設(shè)備等產(chǎn)品，做的也是相當(dāng)?shù)某霾?，這就是我對我們的產(chǎn)品十分的有信心，這就是我們團(tuán)隊所有的力量。質(zhì)量是企業(yè)長遠(yuǎn)生存的根基，是企業(yè)競爭的免死，質(zhì)量在心中，責(zé)任在肩上，誠信在言行中，相信我們國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)，控在品質(zhì)！

多年來，公司與時俱進(jìn)，產(chǎn)品銷往全國各地，據(jù)不完全統(tǒng)計，有深圳華為技術(shù)有限公司、蘇州華為技術(shù)有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長飛半導(dǎo)體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚(yáng)杰半導(dǎo)體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚(yáng)州國宇電子有限公司、國網(wǎng)電力科學(xué)研究院有限公司、大連東芝電力機(jī)車、清華大學(xué)、南京大學(xué)、華北電力大學(xué)等一些國有大型企業(yè)與之合作，經(jīng)過我們的不時努力和追求，也博得了眾多企業(yè)的認(rèn)可和好評。追求永不停步，創(chuàng)新永無止境，為取得長足發(fā)展，公司會以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、前沿的技術(shù)和周到的服務(wù)來回饋用戶，為社會的科技進(jìn)步作出貢獻(xiàn)！

核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn)，參數(shù)測試設(shè)備：

可控硅/晶閘管（參數(shù)測試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測試；動態(tài)參數(shù)測；浪涌參數(shù)測試；老化可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測試。

MOSFET參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。
IGBT參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /

高溫反偏測試設(shè)備高溫反偏測試系統(tǒng)設(shè)備
一、測試設(shè)備功能和技術(shù)指標(biāo)

1.主要適用功能：本測試設(shè)備可對晶閘管、整流管的電耐久性進(jìn)行試驗，測試設(shè)備主要技術(shù)條件符合JB/T-7626-2013等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。保證設(shè)備的安全性和使用耐久性。

2．控制方式：采用手動調(diào)壓試驗。對試驗電參數(shù)（試驗時間、電壓、漏電流，）進(jìn)行顯示。10個工位為一組控制，共兩組分別控制?？墒┘硬煌碾妷涸囼?。

3．顯示方式：試驗電壓及漏電流用數(shù)字表顯示。計時器控制實驗時間 。漏電流顯示采用數(shù)字表查看的方式，每個個工位用1塊表，即時顯示本工位試驗峰值漏電流值。正反向手動控制。

每10個工位為一組電壓集中控制，數(shù)字表顯示峰值電壓。

每個工位對應(yīng)一個過流保護(hù)指示燈。

4．電耐久性試驗設(shè)備的電參數(shù)技術(shù)指標(biāo)：

4.1斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V

分兩檔:低檔：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V

gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V

50HZ電壓連續(xù)可調(diào)

電壓手動分檔

電耐久性試驗電壓施加方式：手動調(diào)壓器調(diào)壓方式，10個工位為一組電壓調(diào)節(jié)，共兩組。
高溫反偏測試設(shè)備高溫反偏測試系統(tǒng)設(shè)備

4.2試驗的斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電流：1—199mA

分辨率0. 1mA，準(zhǔn)確度 ±3%±1mA

3000V以下時，20個工位漏電流能設(shè)定到199mA。

3000V以上時，可通過減少實際負(fù)載工位數(shù)量，以達(dá)到不超設(shè)備功率負(fù)荷。8KV時zuida電流為50 mA。

每10個工位漏電流可手動設(shè)定一組保護(hù)數(shù)值，設(shè)定范圍1-199 mA，保護(hù)動作時，不切斷主電路，但要聲光報警，被測陽極有繼電器保護(hù)動作切斷分支電路。其它分支電路正常工作。正反向過流均可保護(hù)動作，10個工位統(tǒng)一設(shè)置保護(hù)電流。統(tǒng)一復(fù)位

4.3 每個工位配有繼電器，繼電器動作時面板對應(yīng)工位指示燈亮。

4.4 試驗波形：交流半波/全波，面板按鈕選擇。

4.5 設(shè)備供電電壓：電源：AC220V±1%

4.6 工位數(shù)量：20個

4.7 連接方式：機(jī)柜側(cè)面留有接線柱

4.8 控制方式：電壓在面板手動調(diào)節(jié)，漏電流設(shè)定手動調(diào)節(jié)，漏電流正反向顯示手動選擇
（廣東功率器件生產(chǎn)廠家）
高溫反偏測試系統(tǒng)設(shè)備

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