華科智源SIC靜態(tài)參數(shù)測試儀，測試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計，封裝測試，軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事儀器儀表代理的綜合性服務(wù)公司,于2010年在深圳注冊成立，目前已經(jīng)成為國內(nèi)的儀器經(jīng)銷商，系統(tǒng)集成商和綜合服務(wù)商之一。 深圳市華科智源科技有限公司的客戶涉及工業(yè)電子制造、通信及信息技術(shù)、教育科研、航空航天、微電子、新能源、生物醫(yī)藥、節(jié)能環(huán)保等行業(yè)和領(lǐng)域，通過與、Agilent、Lecroy、Tektronix、Yokogawa、Kikusui、DTV、NF、費思泰克Faith、牛津OXFORD、島津SHIMADZU等知名廠商的合作，為客戶提供產(chǎn)品增值銷售、應(yīng)用系統(tǒng)集成、科技租賃、計量校準(zhǔn)、維修維護(hù)等綜合服務(wù)。 深圳市華科智源科技有限公司，,主要研發(fā)生產(chǎn)的設(shè)備有SMT首件檢測儀，首件檢測系統(tǒng)，SMT首件測試儀，ITC57300,半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試儀，ITC55100等高端測試產(chǎn)品及測試系統(tǒng)。 深圳市華科智源科技有限公司一貫堅持“可靠的產(chǎn)品，優(yōu)質(zhì)的服務(wù)”的經(jīng)營方針，結(jié)合市場變化和客戶要求，華科智源致力于同客戶建立長期的合作伙伴關(guān)系，為客戶提供“需求分析、產(chǎn)品選型、人員培訓(xùn)和售后服務(wù)”等一條龍完善服務(wù)，贏得了生產(chǎn)廠商和用戶的廣泛好評。 深圳市華科智源科技有限公司將秉持迅速、可靠、專業(yè)的態(tài)度永續(xù)經(jīng)營，以提供實時有效的服務(wù)為終目標(biāo)。

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

SIC靜態(tài)參數(shù)測試儀

一：SIC靜態(tài)參數(shù)測試儀主要特點

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；

 

SIC靜態(tài)參數(shù)測試儀測試參數(shù)：

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

 

二：華科智源SIC靜態(tài)參數(shù)測試儀應(yīng)用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場效應(yīng)管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

 

三、華科智源SIC靜態(tài)參數(shù)測試儀特征：

A：測量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V    

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測量器件

H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進(jìn)行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；

 

序號	測試項目	描述	測量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向?qū)▔航?	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向?qū)娏?	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
3				＞200A時,1A	＞200A時,±1%
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
6				＞200A時,1A	＞200A時,±1%
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV

 

 

 

 

 

 

 

測試參數(shù)：

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用

 

1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；

質(zhì)量：30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度：海拔不超過 1000m；

儲存環(huán)境：-20℃～50℃；

工作環(huán)境：15℃～40℃。

相對濕度：20%RH ~ 85%RH ；

大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。

防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%；

電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

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