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價(jià)格:電議
所在地:江蘇 泰州市
型號(hào):
更新時(shí)間:2023-11-27
瀏覽次數(shù):4025
公司地址:江蘇
韓一一(女士)
GWJD-1000型高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)(四通道測(cè)試,同時(shí)測(cè)試4個(gè)樣品)
GWJD-1000型高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)(四通道測(cè)試,同時(shí)測(cè)試4個(gè)樣品)
關(guān)鍵詞:ink?url=6nFhbfa4w6Mcj2F1vn_LTuKr8-DoI2Ni7ADx6X9eKvs0XRi0MoyFroL-ZTpUh7PEyClMfTJYEpAXJBjDubADoq">高溫介電測(cè)試溫譜儀、高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)、高溫介溫譜能系統(tǒng)
產(chǎn)品介紹:
GWJD-1000型高溫介電性能測(cè)量系統(tǒng)主要應(yīng)用于高溫下材料的介電性能測(cè)試與分析,包括介電常數(shù)、介電損耗、電容等參數(shù),同時(shí)測(cè)試出測(cè)試材料的其他阻抗參數(shù),廣泛應(yīng)用于陶瓷材料、半導(dǎo)體器件及功能薄膜材料等研究 。
一、產(chǎn)品:
1.耐高溫、1000°C不氧化,電阻抗低、緣好.
2.四通道測(cè)試,可以同時(shí)測(cè)試1-4個(gè)樣品,方便快捷
3.數(shù)據(jù)分析軟件:提供多種掃描曲線(xiàn),可以在多窗口之間切換數(shù)據(jù)
二、《符合ASTMD150和 D2149-97標(biāo)準(zhǔn)>>
<<符合GB/T1409-2006介電常數(shù)和介電損耗的推薦方法;》
三、產(chǎn)品特點(diǎn)
1.可以在高溫、寬頻、真空條件下測(cè)量固體、薄膜樣品的介電性能;
2.可以分樣品的頻率譜、溫度譜、偏壓譜、阻抗譜、介電譜、時(shí)間譜等測(cè)量功能;
3.可以測(cè)量樣品的介電常數(shù)、介電損耗,電容C,損耗D,電感L,品質(zhì)因數(shù)Q,阻抗Z等物理量;以實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)和介電損耗隨多個(gè)溫度、多個(gè)頻率變化的曲線(xiàn),時(shí)間和電壓變化的曲線(xiàn);
4、可提供塊體,薄膜,單樣品,四樣品夾具,滿(mǎn)足不同測(cè)試要求。
主要技術(shù)指標(biāo):
測(cè)量溫度: 室溫-1000°C |
升溫斜率:2°C /min |
頻率范圍:20-30MHZ |
精度:0.05% |
測(cè)量精度: ±0.1°C |
控溫精度:±1°C(PID控溫) |
高溫樣品桿:耐高溫、1000°C不氧化,電阻抗低、緣好 |
測(cè)試方法:兩線(xiàn)法或四線(xiàn)法 |
測(cè)試通道數(shù):1-4通道 |
一次可測(cè)樣品數(shù):1-4個(gè)樣品 |
樣品尺寸:直徑小于2-10mm,厚度小于1-10mm,樣品放置位置靈活,可快捷安裝和拆卸 |
測(cè)量精度:0.05% |
AC電平: 0V 到 1V rms |
直流偏壓:0到±40V/100mA |
數(shù)據(jù)存儲(chǔ):EXCEL表格等多種格式 |
加熱方式:電阻絲加熱 |
真空度范圍:100 Pa-1大氣壓 |
電材料:鉑金 |
數(shù)據(jù)傳輸:4個(gè)USB接口 |
儀器通訊:USB或GPIB |